อินเดียมซีลีไนด์คริสตัล

คำอธิบายคริสตัลอินเดียมเซเลไนด์

อินเดียมซีลีไนด์ (In2Se3) มีอยู่ในโครงสร้างผลึก 4 โครงสร้าง ( , ,δ, ) เฟสโลหะของอินเดียมซีลีไนด์จะเปลี่ยนเป็นเฟสการนำไฟฟ้าภายในภายใต้การเปลี่ยนแปลงของอุณหภูมิ In2Se3 สามารถเตรียมได้โดยการผสมผสานปริมาณสารสัมพันธ์ขององค์ประกอบที่อุณหภูมิ 1,000 ถึง 1100 องศา มีการรายงานอิทธิพลของการเปลี่ยนแปลงเฟสต่อคุณสมบัติทางแสงและทางไฟฟ้า

In2Se3 ( เฟส) เป็นสารกึ่งตัวนำที่มีแถบแบนด์คริสตัลเดี่ยวจำนวนมากที่ 1.41eV ชั้นต่างๆ จะซ้อนกันผ่านแรงโต้ตอบของ Van der Waals และสามารถลอกออกเป็นชั้นเดียวแบบสองมิติทางกลไกได้ คริสตัลเป็นรูปหกเหลี่ยม/สี่เหลี่ยมและมีลักษณะเป็นโลหะ

ผลึกเดี่ยวอินเดียมซีลีไนด์เป็นรูปแบบโมโนคริสตัลไลน์ของอินเดียมซีลีไนด์ที่ใช้เป็นสารกึ่งตัวนำในเลนส์ อิเล็กทรอนิกส์ การถ่ายภาพ และเซ็นเซอร์ สามารถวางลงบนแผ่นซิลิคอนเวเฟอร์ได้หลายชั้น

การประยุกต์ใช้คริสตัลอินเดียมเซเลไนด์และอุตสาหกรรมที่เกี่ยวข้อง

● เครื่องใช้ไฟฟ้า

● การถ่ายภาพ

● เซนเซอร์

● วัสดุ 2 มิติ

● แก้ว

● วัสดุออปติคัลและเลเซอร์

● วัสดุเซมิคอนดักเตอร์

● พลังงานแสงอาทิตย์

● การวิจัยและห้องปฏิบัติการ

ตัวระบุทางเคมี

คุณสมบัติของคริสตัลอินเดียมซีลีไนด์ (ตามทฤษฎี)

Indium Selenide Crystal ข้อมูลด้านสุขภาพและความปลอดภัย

ป้ายกำกับยอดนิยม: คริสตัลอินเดียมซีลีไนด์, จีน, ซัพพลายเออร์, ซื้อ, ขาย, ผลิตในประเทศจีน